Перевод: с английского на русский

с русского на английский

isolated-gate mos

См. также в других словарях:

  • isolated-gate MOS — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • isolated-gate MOS structure — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOS-Struktur mit isoliertem Gate — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • structure MOS à grille isolée — MOP darinys su izoliuotąja užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated gate MOS; isolated gate MOS structure vok. MOS Struktur mit isoliertem Gate, f rus. МОП структура с изолированным затвором, f pranc. structure MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • isolated silicon-gate CMOS — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • isolated silicon-gate CMOS structure — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… …   Wikipedia

  • Floating Gate MOSFET — The Floating Gate MOSFET (FGMOS) is a field effect transistor, whose structure is similar to a conventional MOSFET. The gate of the FGMOS is electrically isolated, creating a floating node in DC, and a number of secondary gates or inputs are… …   Wikipedia

  • Floating-gate transistor — The floating gate transistor is a kind of transistor that is commonly used for non volatile storage such as flash, EPROM and EEPROM memory. Floating gate transistors are almost always floating gate MOSFETs.Floating gate MOSFETs are useful because …   Wikipedia

  • komplementärer MOS-Schaltkreis mit isoliertem Gate — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • CMOS-IC mit isoliertem Gate — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit …   Radioelektronikos terminų žodynas

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
… Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»